砷化鎵(GaAs)的生產采用Czochralski或水平Bridgeman晶體生長技術。 由于它是含砷的，應注意處理和工作中的預防措施。砷化鎵(GaAs)晶體的化學穩定性好，硬度高，抗惡劣環境能力極強，它在2-16μm光譜范圍有很好的透過率，廣泛應用于熱紅外成像系統，大功率CO2激光光學系統和FLIR系統。在現場環境很差，光學鏡頭或窗口需要反復擦拭的條件下，砷化鎵(GaAs)常被用來替代硒化鋅(ZnSe)作為紅外鏡頭或窗口的材料。
| 型號 | 貨號 | 操作 | 名稱 | 描述 | 晶體類型 | 晶體規格 |
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| 名稱 | 型號貨號 | 描述 | 參數 | 價格 |
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● 化學穩定性好
● 硬度高
● 抗惡劣環境能力極強
傳輸范圍： | 1-16μm |
折射率： | 3.2727 @10.33μm |
反射損失： | 44％@10.33μm |
吸收系數： | 0.01cm-1 |
吸收峰： | n / a |
dn / dT： | 147×10-6/℃ @ 10μm for derivation |
dn /dμ= 0： | 6.3μm |
密度： | 5.315g/cm3 |
熔點： | 1511℃ |
熱導率： | 48 W m-1K-1@273K |
熱膨脹： | 5.7×10-6/℃@300K |
硬度： | Knoop 750 |
比熱容： | 360 JKg-1K-1 |
介電常數： | 在低頻下為12.91 |
楊氏模量（E）： | 84.8GPa |
剪切模量（G）： | n / a |
體積模量（K）： | 75.5GPa |
彈性系數： | n / a |
表觀彈性極限： | 71.9 MPa |
泊松比： | 0.31 |
溶解性： | 不溶于水 |
分子量： | 144.64 |
類/結構： | 立方ZnS，F43m，（100）裂解 |
折射率（O光）
μm | No | μm | No | μm | No |
1.033 | 3.492 | 1.550 | 3.3737 | 2.066 | 3.338 |
2.480 | 3.324 | 3.100 | 3.3125 | 4.133 | 3.3027 |
4.959 | 3.2978 | 6.199 | 3.2921 | 7.293 | 3.2874 |
8.266 | 3.2831 | 9.537 | 3.2769 | 10.33 | 3.2727 |
11.27 | 3.2671 | 12.40 | 3.2597 | 13.78 | 3.2493 |
15.50 | 3.2336 | 17.71 | 3.2081 | 19.07 | 3.1866 |
光譜透射曲線
● 太赫茲時域系統
● 太赫茲源窗片
● 科學實驗室研究
● 遠紅外光學
● 高功率CO2激光器
● 熱紅外成像系統
● FLIR系統
訂購型號 | 規格(D×L)(mm) | 光譜范圍 |
GAASP10-0.3 | 10.0×0.3mm | IR |
GAASP25.4-2 | 25.4×2.0mm | IR |
營業執照